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顯微成像 成分分析 結(jié)構(gòu)分析 物性分析 聲光電磁 熱學(xué)性能 力學(xué)性能 原位測試 材料加工 環(huán)境試驗(yàn) 同步輻射 現(xiàn)場/云現(xiàn)場
振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)

振動(dòng)樣品磁強(qiáng)計(jì)(VSM)

已預(yù)約6879次

平均周期3.5天  |  總體滿意度99.6%

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熒光光譜(PL)

熒光光譜(PL)

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微波網(wǎng)絡(luò)分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)

微波網(wǎng)絡(luò)分析儀/矢量網(wǎng)絡(luò)分析儀(VNA)

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電化學(xué)分析

電化學(xué)分析

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超導(dǎo)量子干涉磁測量(SQUID)

超導(dǎo)量子干涉磁測量(SQUID)

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四探針測試儀

四探針測試儀

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固體/薄膜表面ZETA電位儀

固體/薄膜表面ZETA電位儀

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霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)

霍爾效應(yīng)測試系統(tǒng)

已預(yù)約4941次

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電導(dǎo)率

電導(dǎo)率

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寬頻介電常數(shù)測試儀

寬頻介電常數(shù)測試儀

已預(yù)約3256次

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表面光電壓譜儀(SPV)

表面光電壓譜儀(SPV)

已預(yù)約4633次

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塞貝克系數(shù)與電阻率測試系統(tǒng)

塞貝克系數(shù)與電阻率測試系統(tǒng)

已預(yù)約2453次

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鐵電壓電分析儀

鐵電壓電分析儀

已預(yù)約2408次

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橢偏儀

橢偏儀

已預(yù)約3447次

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光催化產(chǎn)氫

光催化產(chǎn)氫

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飛秒瞬態(tài)吸收

飛秒瞬態(tài)吸收

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變溫?zé)晒夤庾V(PL)

變溫?zé)晒夤庾V(PL)

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物性綜合測量系統(tǒng)(PPMS)

物性綜合測量系統(tǒng)(PPMS)

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光催化二氧化碳還原

光催化二氧化碳還原

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光電轉(zhuǎn)化效率測試(IPCE)

光電轉(zhuǎn)化效率測試(IPCE)

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多功能缺陷熒光光譜儀

多功能缺陷熒光光譜儀

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阻抗分析儀

阻抗分析儀

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D33測試(壓電常數(shù)測試)

D33測試(壓電常數(shù)測試)

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電阻率測試儀

電阻率測試儀

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擊穿電壓試驗(yàn)儀

擊穿電壓試驗(yàn)儀

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電池性能測試

電池性能測試

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光熱偏轉(zhuǎn)譜(PDS)系統(tǒng)PTS-3-PDS

光熱偏轉(zhuǎn)譜(PDS)系統(tǒng)PTS-3-PDS

已預(yù)約1500次

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殘余應(yīng)力

殘余應(yīng)力

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半導(dǎo)體光電測試

半導(dǎo)體光電測試

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霧度測試

霧度測試

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薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)(MRS)

薄膜熱電參數(shù)測試系統(tǒng)(MRS)

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強(qiáng)度調(diào)制光電流譜(IMPS)

強(qiáng)度調(diào)制光電流譜(IMPS)

已預(yù)約2675次

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 熱刺激電流儀(TSC)

熱刺激電流儀(TSC)

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圓偏振熒光光譜儀(CPL)

圓偏振熒光光譜儀(CPL)

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量子效率測試

量子效率測試

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固態(tài)電解質(zhì)分析系統(tǒng)

固態(tài)電解質(zhì)分析系統(tǒng)

已預(yù)約10次

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掃描電化學(xué)顯微鏡(SECM)

掃描電化學(xué)顯微鏡(SECM)

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輻照測試(鈷60)

輻照測試(鈷60)

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聲學(xué)性能測試系統(tǒng)(阻抗管)

聲學(xué)性能測試系統(tǒng)(阻抗管)

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太陽能電池伏安特性測試儀

太陽能電池伏安特性測試儀

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磁致伸縮系數(shù)測量系統(tǒng)

磁致伸縮系數(shù)測量系統(tǒng)

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微波暗室遠(yuǎn)場測試系統(tǒng)

微波暗室遠(yuǎn)場測試系統(tǒng)

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矯頑磁力自動(dòng)測量儀

矯頑磁力自動(dòng)測量儀

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飛灰比電阻測定儀

飛灰比電阻測定儀

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微波諧振腔

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OLED光電測試系統(tǒng)

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微波暗室拱形架測試系統(tǒng)

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平面近場測試系統(tǒng)

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光學(xué)應(yīng)變測試系統(tǒng)

光學(xué)應(yīng)變測試系統(tǒng)

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自由曲面光學(xué)面形測試儀(NMF600S)

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BH LOOP分析儀

BH LOOP分析儀

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強(qiáng)度調(diào)制光電壓譜(IMVS)

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常見問題

Q&A

Q:到底是發(fā)論文還是申請(qǐng)專利?
A:論文和專利都是技術(shù)的載體,論文審稿側(cè)重考察數(shù)據(jù)是否可靠、結(jié)論是否準(zhǔn)確,發(fā)明專利會(huì)經(jīng)過新穎性或創(chuàng)造性的審查,授權(quán)后獲得獨(dú)占權(quán)而受到法律保護(hù),自己在先公開的論文會(huì)導(dǎo)致在后申請(qǐng)的專利失去新穎性或創(chuàng)造性,對(duì)于同一方案務(wù)必先申請(qǐng)專利再發(fā)表論文。
Q:專利申請(qǐng)為什么要趁早?
A:1.要防止創(chuàng)意或產(chǎn)品推出前被模仿。2.相關(guān)技術(shù)更新迭代、層出不窮,慢一步就會(huì)導(dǎo)致他人先公開自己的創(chuàng)意而無法獲得專利權(quán)。3.專利可以在升學(xué)評(píng)獎(jiǎng)、職稱考核、高企認(rèn)定等過程中添加砝碼,競爭激烈,提早準(zhǔn)備更容易命中目標(biāo)。
Q:哪些不能申請(qǐng)專利?
A:1. 科學(xué)發(fā)現(xiàn);3. 疾病的診斷和治療方法;4. 動(dòng)物和植物品種;5. 用原子核變換方法獲得的物質(zhì);6. 對(duì)平面印刷品的圖案、色彩或者二者的結(jié)合作出的主要起標(biāo)識(shí)作用的設(shè)計(jì)。
Q:發(fā)明和實(shí)用新型有何區(qū)別?
A:1.保護(hù)客體不同,發(fā)明專利保護(hù)產(chǎn)品、方法或者改進(jìn)所提出的新的技術(shù)方案,實(shí)用新型專利只保護(hù)產(chǎn)品的形狀、構(gòu)造或者其結(jié)合所提出的適于實(shí)用的新的技術(shù)方案。2.審批程序不同,發(fā)明專利需要經(jīng)過實(shí)質(zhì)審查以確定滿足新穎性、創(chuàng)造性和實(shí)用性,審查時(shí)間更長,實(shí)用新型不需要經(jīng)過實(shí)質(zhì)審查,創(chuàng)造性和技術(shù)水平較發(fā)明專利低,但實(shí)用價(jià)值大。3.保護(hù)期限不同,發(fā)明專利權(quán)的期限為二十年,實(shí)用新型專利權(quán)的期限為十年,外觀設(shè)計(jì)專利權(quán)的期限為十五年,均自申請(qǐng)日起計(jì)算。
Q:什么是技術(shù)交底書?
A:技術(shù)交底書是發(fā)明人和代理師溝通的基礎(chǔ),應(yīng)當(dāng)涵蓋現(xiàn)有技術(shù)的問題是什么,發(fā)明人提出了什么樣的解決方案,達(dá)到了何種效果,以及希望保護(hù)的核心技術(shù)要點(diǎn)是什么,應(yīng)當(dāng)盡可能記錄技術(shù)內(nèi)容,充分描述技術(shù)細(xì)節(jié),提供有力的證明材料,如此才能撰寫更高質(zhì)量的專利。
Q:如何才能更快獲得發(fā)明專利授權(quán)?
A:1.優(yōu)先審查,涉及特定的高端制造、節(jié)能環(huán)保、新材料、新能源等特殊領(lǐng)域,可以申請(qǐng)優(yōu)先審查,最快可在6-8個(gè)月獲得發(fā)明專利授權(quán)。2.通過保護(hù)中心的預(yù)審加快審查,進(jìn)入快速審查通道,可進(jìn)一步壓縮授權(quán)時(shí)間。
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