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    當(dāng)前位置:材料測(cè)試 ?  聲光電磁 ? 

    塞貝克系數(shù)與電阻率測(cè)試系統(tǒng)

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    塞貝克系數(shù)與電阻率測(cè)試系統(tǒng)

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    項(xiàng)目介紹

    塞貝克效應(yīng)(Seebeck effect)又稱作第一熱電效應(yīng),是指由于兩種不同電導(dǎo)體或半導(dǎo)體的溫度差異而引起兩種物質(zhì)間的電壓差的熱電現(xiàn)象。一般規(guī)定熱電勢(shì)方向?yàn)椋涸跓岫穗娮佑韶?fù)流向正。

    原理

    半導(dǎo)體效應(yīng)

    產(chǎn)生Seebeck效應(yīng)的主要原因是熱端的載流子往冷端擴(kuò)散的結(jié)果。例如p型半導(dǎo)體,由于其熱端空穴的濃度較高,則空穴便從高溫端向低溫端擴(kuò)散;在開路情況下,就在p型半導(dǎo)體的兩端形成空間電荷(熱端有負(fù)電荷,冷端有正電荷),同時(shí)在半導(dǎo)體內(nèi)部出現(xiàn)電場(chǎng);當(dāng)擴(kuò)散作用與電場(chǎng)的漂移作用相互抵消時(shí),即達(dá)到穩(wěn)定狀態(tài),在半導(dǎo)體的兩端就出現(xiàn)了由于溫度梯度所引起的電動(dòng)勢(shì)——溫差電動(dòng)勢(shì)。自然,n型半導(dǎo)體的溫差電動(dòng)勢(shì)的方向是從低溫端指向高溫端(Seebeck系數(shù)為負(fù)),相反,p型半導(dǎo)體的溫差電動(dòng)勢(shì)的方向是高溫端指向低溫端(Seebeck系數(shù)為正),因此利用溫差電動(dòng)勢(shì)的方向即可判斷半導(dǎo)體的導(dǎo)電類型。


    金屬效應(yīng)

    ①電子從熱端向冷端的擴(kuò)散。然而這里的擴(kuò)散不是濃度梯度(因?yàn)榻饘僦械碾娮訚舛扰c溫度無(wú)關(guān))所引起的,而是熱端的電子具有更高的能量和速度所造成的。顯然,如果這種作用是主要的,則這樣產(chǎn)生的Seebeck效應(yīng)的系數(shù)應(yīng)該為負(fù)。

    ②電子自由程的影響。因?yàn)榻饘僦须m然存在許多自由電子,但對(duì)導(dǎo)電有貢獻(xiàn)的卻主要是Fermi能級(jí)附近2kT范圍內(nèi)的所謂傳導(dǎo)電子。而這些電子的平均自由程與遭受散射(聲子散射、雜質(zhì)和缺陷散射)的狀況和能態(tài)密度隨能量的變化情況有關(guān)。

    樣品要求

    1. 薄膜:4mm(可略大一點(diǎn))*12mm(要盡量在12mm左右);
    2. 塊狀:長(zhǎng)和寬不超過2-4mm,高不小于8mm;

    3. 升溫過程中樣品穩(wěn)定,不能釋放出氣體,不能有較明顯的體積膨脹,測(cè)試是探針接觸,以免損壞儀器。

    項(xiàng)目案例

    常見問題
    1、薄膜樣品涂了銀漿很久還能繼續(xù)測(cè)試嗎?

    不能,薄膜樣品涂了銀漿久了就沒法測(cè)試了,需要重新制樣,銀漿久了接觸會(huì)有問題。

    2、 測(cè)變溫時(shí),為什么數(shù)據(jù)一個(gè)溫度點(diǎn)會(huì)有多個(gè)數(shù)據(jù)?

    因?yàn)槎鄠€(gè)溫度點(diǎn)的時(shí)候,每一個(gè)氛圍溫度點(diǎn)不一定只測(cè)一次,每個(gè)點(diǎn)都有對(duì)應(yīng)的實(shí)測(cè)氛圍溫度。


    3、測(cè)試塞貝克的時(shí)候能和電阻率一起測(cè)嗎?

    是一起測(cè)。


    塞貝克系數(shù)與電阻率測(cè)試系統(tǒng)

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