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    當(dāng)前位置:材料測(cè)試 ?  材料加工 ? 

    氬離子拋光(離子研磨)

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    氬離子拋光(離子研磨)

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    項(xiàng)目介紹

    氬離子拋光技術(shù)/離子研磨CP(Cross section Polisher)用于SEM、EPMA、EBSD等樣品的制備。

    依靠離子束轟擊制備樣品剖面,可以獲得表面平滑的樣品,觀察范圍大、清潔而且適用于幾乎所有材料,而不會(huì)對(duì)樣品造成機(jī)械損害。

    去除損傷層,從而得到高質(zhì)量樣品。

    樣品要求

    1.送樣前需要對(duì)樣品進(jìn)行預(yù)處理:樣品預(yù)磨拋,樣品要磨平,樣品的上下表面要平行,樣品拋光面至少用4000目砂紙磨平,在顯微鏡下看起來(lái)光滑,不粗糙;

    2. 送測(cè)樣品的尺寸要求:塊狀樣品:以待拋光區(qū)域?yàn)橹行狞c(diǎn),樣品直徑不超過(guò)30mm、厚度0~20mm。(超出部分需要磨平)粉末樣品:10g以上;

    3. 樣品準(zhǔn)備2-3片;

    4. 預(yù)約時(shí)認(rèn)真填寫樣品信息以及測(cè)試目的,必要時(shí)上傳參考圖片或文件。

    項(xiàng)目案例
    常見問(wèn)題
    1、通常塊狀金屬和陶瓷除FIB制樣外,還可以用什么方法制備TEM樣品?

    可以采用離子減薄或者電解雙噴制樣。

    2、離子減薄方法適用于哪種樣品?

    1.不導(dǎo)電的陶瓷樣品;

    2.要求質(zhì)量高的金屬樣品;

    3.不宜雙噴電解的金屬與合金樣品。

    3、雙噴電解減薄適用于哪些樣品?

    1.不易于腐蝕的裂紋端試樣;

    2.非粉末冶金試樣;

    3.組織中各相電解性能相差不大的材料。

    4、離子減薄容易引入的雜質(zhì)?

    很可能引入Ar,Ar離子作為制樣的離子源。

    5、電解雙噴制樣可能引入的雜質(zhì)?

    溶液可能引入對(duì)應(yīng)的元素,如高氯酸溶液引入Cl。

    氬離子拋光(離子研磨)

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