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未知成分分析動(dòng)態(tài)二次離子質(zhì)譜儀可解決哪些問題？
來源：測(cè)試GO
時(shí)間：2022-08-25 14:50:21
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動(dòng)態(tài)-二次離子質(zhì)譜(D-SIMS)用氣體等離子源轟擊樣品,使樣品表面原子、分子或離子等濺射出來,用質(zhì)量分析器接收濺射出的二次離子,通過分析其質(zhì)荷比(m/z)得到的二次離子質(zhì)譜。因?yàn)镈-SIMS的離子源是高密度離子束(原子劑量>1012 ions/cm2),對(duì)樣品的濺射影響很大,所以這是一種破壞性分析。此外，D-SIMS一般要求樣品導(dǎo)電性要好，主要用于無機(jī)樣品沿縱向方向的濃度剖析和進(jìn)行痕量雜質(zhì)鑒定如地質(zhì)研究、同位素定量分析、半導(dǎo)體摻雜的深度分析等。
D-SIMS測(cè)試可解決哪些問題有：
（1）定性檢測(cè)產(chǎn)品表面微小異物(≥10μm),尤其是在常規(guī)成分檢測(cè)方法無效時(shí)。
（2）檢測(cè)多層膜或單層膜的厚度和成分（厚度≥1nm）。
（3）分析表面超痕量物質(zhì)成分，確定外來污染與否，檢出限高達(dá)ppb級(jí)別。
（4）測(cè)試在摻雜工藝中由表到里,超低含量的物質(zhì)情況。
（5）元素含量的面分布圖、同位素豐度分析，逐層剝離、實(shí)現(xiàn)各成分的縱向剖析（AES、XPS只能分析縱向新生成的表面）
D-SIMS測(cè)試的樣品要求：
以固態(tài)薄層、表面平整材料為主，比如襯底或者薄膜。粉末、已封裝或者有結(jié)構(gòu)之類的特殊樣品需要進(jìn)行適當(dāng)制備。
1、尺寸要求：5-10mm之間，厚度不超過1mm，真空保存，標(biāo)記清楚測(cè)試面。
2、分析面積100,200,300um見方居多，面積越大濺射速率越慢。
3、測(cè)試厚度一般在5um之內(nèi)，但不超過10um。
4、部分樣品可以定量分析（比如，常見的硅中各種摻雜 B, P,As等；各類化合物半導(dǎo)體及其多層結(jié)構(gòu)等），取決于是否有合適的標(biāo)準(zhǔn)樣品。
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