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RIE反應(yīng)離子刻蝕

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RIE反應(yīng)離子刻蝕

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項(xiàng)目介紹

RIE反應(yīng)離子腐蝕技術(shù)是一種各向異性很強(qiáng)、選擇性高的干法腐蝕技術(shù)。

它是在真空系統(tǒng)中利用分子氣體等離子來進(jìn)行刻蝕的,利用了離子誘導(dǎo)化學(xué)反應(yīng)來實(shí)現(xiàn)各向異性刻蝕,即是利用離子能量來使被刻蝕層的表面形成容易刻蝕的損傷層和促進(jìn)化學(xué)反應(yīng),

同時(shí)離子還可清除表面生成物以露出清潔的刻蝕表面的作用。

主要用于Si、SiO2、SiNx、半導(dǎo)體材料、聚合物、金屬的刻蝕以及光刻膠的去除等,廣泛應(yīng)用于物理,生物,化學(xué),材料,電子等領(lǐng)域。

樣品要求

1.樣品載物臺(tái)最大可放置 8 寸硅片;小樣品只要可放在載物臺(tái)亦可;

2.樣品可以是多晶硅柵電極,石英材料,鍺材料等;

3.若需進(jìn)一步溝通,請(qǐng)聯(lián)系技術(shù)老師。

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