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紫外光刻機

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項目介紹

工作原理：將設計的掩模圖形通過光刻機曝光轉(zhuǎn)移到涂有光刻膠的晶片上。

樣品要求

1.紫外光波長：365nm，曝光能量密度18-20mW/cm2可調(diào)

2. 樣品尺寸：6英寸及以下

3. 分辨率：接觸曝光＜0.5μm，接近式曝光≤1μm

4.對準精度:＜1μm

項目案例

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