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    靜態(tài)二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）

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    靜態(tài)二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）

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    項(xiàng)目介紹

    二次離子質(zhì)譜SIMS是一種檢測(cè)固體表面及近表面的成分信息的技術(shù)，幾乎可以分析任何在真空中穩(wěn)定的固體。它不僅可以進(jìn)行全元素（從H到U）及同位素分析，同時(shí)還可以準(zhǔn)確地識(shí)別原子團(tuán)和官能團(tuán)，并對(duì)固體樣品進(jìn)行微區(qū)分析成像和深度動(dòng)態(tài)分析。

    SIMS技術(shù)對(duì)材料表面、界面的元素、分子結(jié)構(gòu)進(jìn)行分析，分析深度可達(dá)到表面1-3nm，檢出限可達(dá)ppm級(jí)別。它可以對(duì)樣品進(jìn)行成像和成分定性鑒定，還可以實(shí)現(xiàn)三維成像、二維成像、質(zhì)譜分析等。

    當(dāng)前，SIMS已被廣泛應(yīng)用于各種科學(xué)領(lǐng)域，包括半導(dǎo)體、生物、醫(yī)藥、化學(xué)、材料以及天體物理等研究領(lǐng)域。

    樣品要求

    1. 一般要求樣品無(wú)磁性，弱磁性樣品可以測(cè)試，無(wú)法測(cè)試強(qiáng)磁性樣品；

    2. 粉末樣品至少為10mg；塊體樣品的尺寸小于1cm x 1cm x0. 8cm，最小幾毫米；

    3. 若需獲取3D圖，需在選項(xiàng)中選擇，默認(rèn)情況下不提供；

    4. 深度分析的具體測(cè)試費(fèi)用與深度、離子有關(guān)；

    5. 如果測(cè)試需要與之前的條件相同，請(qǐng)務(wù)必提供之前的測(cè)試條件；

    6. 正負(fù)離子測(cè)試是分開(kāi)進(jìn)行的，測(cè)試時(shí)間不疊加；

    7. 務(wù)必在樣品非測(cè)試面上標(biāo)記“×”，僅在測(cè)試單上描述是不夠的；

    8. 含鐵、鈷、鎳、錳、釕等磁性元素的樣品定義為磁性樣品；不能被強(qiáng)磁鐵吸引的樣品為弱磁樣品，能被強(qiáng)磁鐵吸引的樣品為強(qiáng)磁樣品；請(qǐng)仔細(xì)檢查樣品磁性，因隱瞞樣品信息導(dǎo)致儀器損壞，需要您承擔(dān)全部賠償責(zé)任；

    注：深度分析測(cè)試時(shí)間為1500元/樣（1小時(shí)內(nèi)），超過(guò)1小時(shí)的部分將額外收取1000元/小時(shí)的費(fèi)用。不同離子、不同樣品的測(cè)試時(shí)間均不疊加計(jì)算。

    項(xiàng)目案例

    ACS Appl. Mater. Interfaces 2020, 12, 56151?56160：F8IC深度分析

    TOF-SIMS三維成像（3D圖）

    TOF-SIMS二維成像（Mapping）

    TOF-SIMS質(zhì)譜圖

    常見(jiàn)問(wèn)題
    1、離子后面帶的正或者負(fù)符號(hào)，為什么都是正一價(jià)或負(fù)一價(jià)？

    離子帶正或負(fù)的符號(hào)只是代表正離子或者負(fù)離子，與價(jià)態(tài)無(wú)關(guān)。

    2、在TOF-SIMS測(cè)試中，如果需要同時(shí)測(cè)試正負(fù)離子，那么需要分別使用不同的樣品進(jìn)行測(cè)試嗎？可以在同一個(gè)樣品上選取不同的區(qū)域進(jìn)行測(cè)試嗎？

    如果是測(cè)試質(zhì)譜和二維成像，因?yàn)闆](méi)有損傷，可以選取同一個(gè)位置進(jìn)行測(cè)試，且采集完正離子后可以繼續(xù)采集負(fù)離子信息；如果是做深度分析，則可以在同一個(gè)樣品上選取不同的區(qū)域，分別測(cè)試正離子和負(fù)離子。

    3、TOF-SIMS可以測(cè)離子含量嗎？

    不能。TOF-SIMS靜態(tài)二次離子質(zhì)譜測(cè)試離子強(qiáng)度，為定性測(cè)試，不能定量。

    4、TOF-SIMS中，質(zhì)譜測(cè)試濺射厚度是多深？

    一般濺射厚度為2到3層原子，小于1nm。

    靜態(tài)二次離子質(zhì)譜（TOF-SIMS）

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