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原子層沉積技術(shù)(ALD)

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原子層沉積技術(shù)(ALD)

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項(xiàng)目介紹

原子層沉積 ( ALD)是一種基于化學(xué)氣相沉積 (CVD) 的高精度薄膜沉積技術(shù)，是將物質(zhì)材料以單原子膜的形式基于化學(xué)氣相一層一層的沉積在襯底表面的技術(shù)。將兩種或更多種前體化學(xué)品分別包含被沉積材料的不同元素，一次一種地分別引入到襯底表面。每個(gè)前體使表面飽和，形成單層材料。

樣品要求

樣品尺寸：沉積面積為8英寸以下

項(xiàng)目案例
常見問題
1、什么是原子層沉積（ALD）？

原子層沉積 (Atomic Layer Deposition, ALD)是一種基于化學(xué)氣相沉積 (CVD) 的高精度薄膜沉積技術(shù)，是將物質(zhì)材料以單原子膜的形式基于化學(xué)氣相一層一層的沉積在襯底表面的技術(shù)。將兩種或更多種前體化學(xué)品分別包含被沉積材料的不同元素，一次一種地分別引入到襯底表面。每個(gè)前體使表面飽和，形成單層材料。

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