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等離子體聚焦離子束(PFIB)

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等離子體聚焦離子束(PFIB)

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黃歡

TEM測試工程師

3年透射電鏡(TEM)測試工作經(jīng)驗。專長于常規(guī)材料的形貌分析,具備深入觀察材料微觀結(jié)構(gòu)的能力。

項目介紹

等離子體聚焦離子束(PFIB)使用Xe氙作為離子源,Xe源電流2500nA,在離子材料去除上有更高的速率。雙束PFIB配備SEM實時成像,用于1000微米以內(nèi)大尺寸切片,芯片局部去層可配合Nano Probe由于其離子電流比Ga高38倍,適用于SEM定位大尺寸的切割,芯片熱點位置可進行定點去層,大尺寸樣品可以邊切邊觀察,便于分析測試,配合Nano Probe、CAFM、EBSD制備,可以解決客戶3D防撞TSV定點截面分析、MEMS結(jié)構(gòu)無形截面分析、光芯片光路截面分析、失效孤品去層分析的需求。

樣品要求

1. 粉末樣品:樣品尺寸至少為5μm以上,且無磁性;

2. 薄膜/塊體樣品:最大尺寸不超過2cm,高度不超過3mm,可以有磁性,但強磁樣品應盡可能減小尺寸;

3. 在送樣前,請通過掃描電子顯微鏡(SEM)確認樣品滿足PFIB制樣的要求;

4. 按照樣品個數(shù)計費加工成品大小一般不超過長度 5μm*深度 5μm;如果樣品需要加工更大尺寸,請在下單前聯(lián)系技術(shù)經(jīng)理進行評估和議價;

5. 樣品應具有良好的導電性,如果導電性比較差,需要進行噴金或噴碳處理。

項目案例
常見問題
1、FIB可以做什么?

(1)FIB-SEM:FIB制備微納米級樣品截面,進行SEM和能譜測試。感興趣區(qū)域尺度要求200nm-30μm,通常切樣面寬度不超過10μm。

(2)FIB-TEM:FIB制備滿足透射電鏡的 TEM截面樣品。樣品包括:薄膜、塊體樣品,微米級顆粒。樣品種類:陶瓷、金屬等。

2、FIB制樣可能引入的雜質(zhì)?

W、C、Pt和Ga,其中W、C和Pt是為了保護減薄區(qū)域,Ga是離子源。如果樣品不導電可能噴Au或者噴Pt,從而引入這兩種元素。

3、FIB樣品為什么需要導電?

樣品是在SEM電鏡下進行操作,需要清晰地觀察到樣品的形貌,否則無法精準制樣。

4、FIB-TEM的制樣流程是 ?

(1)找到目標位置(定位非常重要),表面噴Pt、W或C進行保護目標區(qū)域; 

(2)將目標位置前后兩側(cè)的樣品挖空,剩下目標區(qū)域后進行U-cut;

(3)通過納米機械手將這個薄片取出,將樣品焊到銅網(wǎng)上的樣品柱上;

(4)減薄到理想厚度后停止。

學術(shù)文章

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