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等離子體聚焦離子束（PFIB）

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等離子體聚焦離子束（PFIB）

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黃歡

TEM測試工程師

3年透射電鏡（TEM）測試工作經(jīng)驗。專長于常規(guī)材料的形貌分析，具備深入觀察材料微觀結(jié)構(gòu)的能力。

項目介紹

等離子體聚焦離子束（PFIB）使用Xe氙作為離子源，Xe源電流2500nA，在離子材料去除上有更高的速率。雙束PFIB配備SEM實時成像，用于1000微米以內(nèi)大尺寸切片，芯片局部去層可配合Nano Probe由于其離子電流比Ga高38倍，適用于SEM定位大尺寸的切割，芯片熱點位置可進行定點去層，大尺寸樣品可以邊切邊觀察，便于分析測試，配合Nano Probe、CAFM、EBSD制備，可以解決客戶3D防撞TSV定點截面分析、MEMS結(jié)構(gòu)無形截面分析、光芯片光路截面分析、失效孤品去層分析的需求。

樣品要求

1. 粉末樣品：樣品尺寸至少為5μm以上，且無磁性；

2. 薄膜/塊體樣品：最大尺寸不超過2cm，高度不超過3mm，可以有磁性，但強磁樣品應盡可能減小尺寸；

3. 在送樣前，請通過掃描電子顯微鏡（SEM）確認樣品滿足PFIB制樣的要求；

4. 按照樣品個數(shù)計費，加工成品大小一般不超過長度 5μm*深度 5μm；如果樣品需要加工更大尺寸，請在下單前聯(lián)系技術(shù)經(jīng)理進行評估和議價；

5. 樣品應具有良好的導電性，如果導電性比較差，需要進行噴金或噴碳處理。

項目案例
常見問題
1、FIB可以做什么？

（1）FIB-SEM：FIB制備微納米級樣品截面，進行SEM和能譜測試。感興趣區(qū)域尺度要求200nm-30μm，通常切樣面寬度不超過10μm。

（2）FIB-TEM：FIB制備滿足透射電鏡的 TEM截面樣品。樣品包括：薄膜、塊體樣品，微米級顆粒。樣品種類：陶瓷、金屬等。

2、FIB制樣可能引入的雜質(zhì)？

W、C、Pt和Ga，其中W、C和Pt是為了保護減薄區(qū)域，Ga是離子源。如果樣品不導電可能噴Au或者噴Pt，從而引入這兩種元素。

3、FIB樣品為什么需要導電？

樣品是在SEM電鏡下進行操作，需要清晰地觀察到樣品的形貌，否則無法精準制樣。

4、FIB-TEM的制樣流程是 ?

(1）找到目標位置（定位非常重要），表面噴Pt、W或C進行保護目標區(qū)域； 

(2）將目標位置前后兩側(cè)的樣品挖空，剩下目標區(qū)域后進行U-cut；

(3）通過納米機械手將這個薄片取出，將樣品焊到銅網(wǎng)上的樣品柱上；

(4）減薄到理想厚度后停止。

學術(shù)文章

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