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    電子背散射衍射EBSD測(cè)試的具體分析功能
    來(lái)源: 時(shí)間:2024-10-11 10:09:44 瀏覽:1860次

    電子背散射衍射EBSD測(cè)試的具體分析功能

     

    電子背散射衍射(EBSD,又稱(chēng)為電子背向散射衍射或取向成像顯微術(shù)(OIM),是一種在掃描電子顯微鏡(SEM中用于進(jìn)行晶體學(xué)和取向分析的技術(shù)。EBSD技術(shù)能夠?qū)Σ牧线M(jìn)行微觀尺度上的晶體取向、晶界特性、相鑒定以及應(yīng)變分析等,是材料科學(xué)研究中的重要工具。

    一、原理

    EBSD技術(shù)基于晶體對(duì)入射電子束的衍射現(xiàn)象。當(dāng)高能電子束入射到樣品表面時(shí),大部分電子會(huì)穿透樣品,但有一部分電子會(huì)被晶體中的晶格原子散射回來(lái),這些背散射電子在特定的晶體平面會(huì)發(fā)生衍射,形成衍射花樣,稱(chēng)為菊池線;通過(guò)檢測(cè)菊池線并與已知晶體結(jié)構(gòu)的數(shù)據(jù)庫(kù)進(jìn)行對(duì)比,可以確定樣品中晶體的取向信息。

    二、組成

    EBSD系統(tǒng)通常包括以下幾個(gè)部分:

    1. 掃描電子顯微鏡(SEM:提供高能電子束和樣品室。

    2. EBSD探測(cè)器:收集背散射電子并形成菊池圖案。

    3. EBSD相機(jī):記錄菊池圖案并進(jìn)行數(shù)字化處理。

    4. 數(shù)據(jù)分析軟件:用于菊池圖案的索引、晶體取向的計(jì)算以及后續(xù)的數(shù)據(jù)分析。

    三、測(cè)試步驟

    1. 樣品制備:樣品需要經(jīng)過(guò)拋光和電解拋光,以獲得光滑的表面,便于菊池線的形成。

    2. 樣品安裝:將制備好的樣品安裝在SEM樣品臺(tái)上。

    3. 系統(tǒng)校準(zhǔn):對(duì)EBSD系統(tǒng)進(jìn)行校準(zhǔn),確保數(shù)據(jù)的準(zhǔn)確性。

    4. 數(shù)據(jù)采集:在SEM中逐點(diǎn)掃描樣品表面,收集菊池圖案。

    5. 數(shù)據(jù)分析:使用EBSD軟件對(duì)菊池圖案進(jìn)行索引和取向計(jì)算,生成取向 mapping 等分析結(jié)果。

    四、分析功能

    1. 晶體取向 mapping

    EBSD能夠生成晶體取向分布圖,即取向 mapping。通過(guò)對(duì)樣品表面進(jìn)行逐點(diǎn)掃描,可以獲得每個(gè)檢測(cè)點(diǎn)的晶體取向信息,從而揭示材料的微觀取向結(jié)構(gòu);這種分析對(duì)于理解材料的變形和再結(jié)晶行為至關(guān)重要。

    2. 晶界特性分析

    晶界是晶體中不同取向晶粒之間的邊界。EBSD技術(shù)可以用來(lái)識(shí)別各種類(lèi)型的晶界,如低角度晶界、高角度晶界、特殊晶界等;晶界的特性對(duì)材料的性能有顯著影響,因此晶界分析對(duì)于優(yōu)化材料性能具有重要意義。

    3. 相鑒定

    EBSD可以區(qū)分不同的晶體相,即使它們?cè)?/span>SEM圖像中看起來(lái)非常相似;通過(guò)分析菊池圖案,可以確定樣品中的相組成,這對(duì)于理解材料的微觀結(jié)構(gòu)和性能至關(guān)重要。

    4. 應(yīng)變分析

    EBSD可以用來(lái)測(cè)量微觀尺度上的應(yīng)變。通過(guò)比較晶體理論取向與實(shí)際取向,可以確定樣品中的應(yīng)變分布;這對(duì)于研究材料在加工和使用過(guò)程中的變形行為非常有用。

    5. 纖維晶體分析

    對(duì)于具有纖維晶體結(jié)構(gòu)的材料,EBSD可以用來(lái)分析纖維的取向和分布,這對(duì)于提高材料性能和可靠性具有重要意義。

     

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