免费观看美国不卡一级黄色片-日本一区二区中文字幕无删减版-91在线国内在线播放高清-午夜av高清在线观看

預(yù)存
Document
當(dāng)前位置:文庫百科 ? 文章詳情
一文讀懂D-SIMS
來源:本站 時間:2019-10-25 10:25:00 瀏覽:10104次

動態(tài)-二次離子質(zhì)譜(D-SIMS)用氣體等離子源轟擊樣品,使樣品表面原子、分子或離子等濺射出來,用質(zhì)量分析器接收濺射出的二次離子,通過分析其質(zhì)荷比(m/z)獲得二次離子質(zhì)譜。由于D-SIMS的離子源為高密度離子束(原子劑量>1012 ions/cm2),對樣品的濺射作用大,故是一種破壞性分析。此外,D-SIMS一般要求樣品導(dǎo)電性要好,主要用于無機(jī)樣品沿縱向方向的濃度剖析進(jìn)行痕量雜質(zhì)鑒定如地質(zhì)研究、同位素定量分析、半導(dǎo)體摻雜的深度分析等。

 

D-SIMS的原理圖


相比其它典型的表面分析技術(shù)如SEM-EDS(約1%)、Auger(約0.1%)、XPS(約0.1%),D-SIMS不僅具有極低的檢測極限(ppm~ppb),其靈敏度(~ng/g)和圖像分辨率也比較高,且?guī)缀?/span>可實(shí)現(xiàn)對包括氫在內(nèi)的所有元素的定性分析。


D-SIMS可為您解決的產(chǎn)品質(zhì)量問題

(1)定性檢測產(chǎn)品表面微小異物(≥10μm),特別是當(dāng)常規(guī)成分測試方法失效時。

(2)檢測多層膜或單層膜的厚度和成分(厚度≥1nm)。

(3)分析表面超痕量物質(zhì)成分,確定外來污染與否,檢出限高達(dá)ppb級別。

(4)測試摻雜工藝中從表到內(nèi)超低濃度的元素分布。

(5)元素含量的面分布圖、同位素豐度分析,逐層剝離、實(shí)現(xiàn)各成分的縱向剖析(AES、XPS只能分析縱向新生成的表面)......

 

D-SIMS對樣品的要求:

(1)固體樣品表面最好是平坦而光滑的;粉末樣品必須將其壓入軟金屬箔(如銅)中或壓制成小塊。

(2)樣品最大規(guī)格尺寸為1×1×0.5cm,當(dāng)樣品尺寸過大需切割取樣,樣品表面必須平整。

(3)避免手和取樣工具接觸到需要測試的位置,取下樣品后用真空包裝避免外來污染影響分析結(jié)果。


D-SIMS實(shí)例展示:

(1)一次離子源能量和曲線斜率關(guān)系


(2)網(wǎng)狀硅片的SIMS圖像

 

(3)B、P及雜質(zhì)元素在SOI中的濃度深度分布


(4)B、PAs注入SiGe/Si的濃度深度剖


(5)障壁中各元素的擴(kuò)散濃度及分布


(6)Ti膜正反面SIMS濃度剖析的比較


——END——

測試狗·科研服務(wù)(3830820.cn)可做XPS、TEM、FIB、SIMS、SQUID、AFM等常規(guī)測試;同步輻射可開展XAFS(XANES,EXAFS)等實(shí)驗(yàn);球差電鏡現(xiàn)場測試原子相STEM-HAADF、EELS-Mapping等;礦物解離分析儀MLA,同位素等地質(zhì)方向測試;DFT第一性原理,MD分子模擬等計(jì)算模擬;還有原位拉伸/變溫SEM、變溫XPS原位實(shí)驗(yàn)。服務(wù)的成果已在JACS,AM,NC,Materials Today等頂刊發(fā)表。測試狗期待與你一起努力,讓科研不留遺憾~


評論 / 文明上網(wǎng)理性發(fā)言
12條評論
全部評論 / 我的評論
最熱 /  最新
全部 3小時前 四川
文字是人類用符號記錄表達(dá)信息以傳之久遠(yuǎn)的方式和工具?,F(xiàn)代文字大多是記錄語言的工具。人類往往先有口頭的語言后產(chǎn)生書面文字,很多小語種,有語言但沒有文字。文字的不同體現(xiàn)了國家和民族的書面表達(dá)的方式和思維不同。文字使人類進(jìn)入有歷史記錄的文明社會。
點(diǎn)贊12
回復(fù)
全部
查看更多評論
相關(guān)文章

基礎(chǔ)理論丨一文了解XPS(概念、定性定量分析、分析方法、譜線結(jié)構(gòu))

2020-05-03

晶體結(jié)構(gòu)可視化軟件 VESTA使用教程(下篇)

2021-01-22

手把手教你用ChemDraw 畫化學(xué)結(jié)構(gòu)式:基礎(chǔ)篇

2021-06-19

【科研干貨】電化學(xué)表征:循環(huán)伏安法詳解(上)

2019-10-25

【科研干貨】電化學(xué)表征:循環(huán)伏安法詳解(下)

2019-10-25

Zeta電位的基本理論、測試方法和應(yīng)用

2020-08-24

項(xiàng)目推薦/Project
動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀(D-SIMS)

動態(tài)二次離子質(zhì)譜儀(D-SIMS)

熱門文章/popular

基礎(chǔ)理論丨一文了解XPS(概念、定性定量分析、分析方法、譜線結(jié)構(gòu))

晶體結(jié)構(gòu)可視化軟件 VESTA使用教程(下篇)

手把手教你用ChemDraw 畫化學(xué)結(jié)構(gòu)式:基礎(chǔ)篇

【科研干貨】電化學(xué)表征:循環(huán)伏安法詳解(上)

電化學(xué)實(shí)驗(yàn)基礎(chǔ)之電化學(xué)工作站篇 (二)三電極和兩電極體系的搭建 和測試

【科研干貨】電化學(xué)表征:循環(huán)伏安法詳解(下)

微信掃碼分享文章
| | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | | |